公司正在积极推进碳化硅器件研发工作
捷捷微电（300623.SZ）在投资者互动平台分享了公司在第三代半导体材料研发方面的最新进展，公司正在与中科院微电子研究所、西安电子科大等国内顶尖科研机构开展深度合作，专注于SiC（硅碳化）和GaN（氮化镓）等新型半导体材料的器件研发工作。
公司已取得显著的研发成果,累计拥有氮化镓和碳化硅相关的发明专利5项，以及实用新型专利6项，这些专利涵盖了关键技术的多个层面，为公司后续产品的量产奠定了重要基础。
值得一提的是,公司已生产出少量碳化硅器件的封测样品，虽然这些产品目前尚未进入量产阶段，但公司正在持续推进相关技术的优化与改进工作，力求在未来将其应用于商业化生产。
公司高层表示,将继续加大对第三代半导体材料与器件技术的研发投入，致力于在全球半导体领域占据更有利的位置。
